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　　掩膜版早期是以1:1的比例緊貼在硅晶圓上，通常由各個半導(dǎo)體公司自行設(shè)計工具來進行掩膜版曝光，GCA、K&S和Kasper等公司也會提供部分相關(guān)設(shè)備。直到上世紀(jì)六十年代初，美國仙童半導(dǎo)體發(fā)明了沿用至今的掩膜版曝光刻蝕技術(shù)。

　　與此同時，光刻機也從1960年代的接觸式光刻機、接近式光刻機，發(fā)展到現(xiàn)在的EUV光刻機。技術(shù)的發(fā)掘與設(shè)備性能的不斷提高，推動集成電路往前迅速發(fā)展。