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　　在集成電路制造中，光刻技術是利用光學、化學、物流的一系列反應原理和方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上，形成目標功能圖形的工藝技術。隨著半導體技術的不斷發展，光刻技術傳遞圖形的尺寸限度不斷縮小，光刻掩膜版技術已然成為一種精密的微細加工技術。

　　亞10nm結構微納加工中采用的光刻技術就是超高精度光刻技術。多種光刻技術中，激光直寫屬一種高性價比的光刻技術，可利用激光在非真空的條件下實現無掩模快速刻寫。

　　換言之，超高精度激光光刻是不需要掩膜版就能實現圖形刻寫的。但由于激光直寫技術受衍射極限以及鄰近效應的限制，還很難做到納米尺度的超高精度加工。